РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SI8407DB-T2-E1

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 129398

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 350µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±8V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.47W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 1A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 6-Micro Foot™ (1.5x1) 
Package / Case 6-MICRO FOOT®CSP 

Описание

MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP - P-Channel 20V 5.8A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)

Транзисторы полевые SI8407DB-T2-E1

Datasheet SI8407DB-T2-E1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Цена доступна по запросу
SI8407DB-T2-E1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.