РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SI8417DB-T2-E1

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 132737

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.5A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 5V 
Vgs (Max) ±8V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2220pF @ 6V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.9W (Ta), 6.57W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 1A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 6-Micro Foot™ (1.5x1) 
Package / Case 6-MICRO FOOT™ 

Описание

MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP - P-Channel 12V 14.5A (Tc) 2.9W (Ta), 6.57W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)

Транзисторы полевые SI8417DB-T2-E1

Datasheet SI8417DB-T2-E1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 14 шт.
Цена доступна по запросу
SI8417DB-T2-E1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.