РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SI8424DB-T1-E1

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 129405

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.2A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 5V 
Vgs (Max) ±5V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1950pF @ 4V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 1A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 4-Microfoot 
Package / Case 4-XFBGA, CSPBGA 

Описание

MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP - N-Channel 8V 12.2A (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot

Транзисторы полевые SI8424DB-T1-E1

Datasheet SI8424DB-T1-E1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 3 шт.
Цена доступна по запросу
SI8424DB-T1-E1
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.