РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SI9424BDY-T1-E3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 129411

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±9V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 8-SO 
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 

Описание

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC - P-Channel 20V 5.6A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-SO

Транзисторы полевые SI9424BDY-T1-E3

Datasheet SI9424BDY-T1-E3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Цена доступна по запросу
SI9424BDY-T1-E3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.