РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SIA450DJ-T1-GE3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 130429

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 240V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.52A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.04nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 167pF @ 120V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 3.3W (Ta), 15W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9 Ohm @ 700mA, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Single 
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 

Описание

MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6 - N-Channel 240V 1.52A (Tc) 3.3W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single

Транзисторы полевые SIA450DJ-T1-GE3

Datasheet SIA450DJ-T1-GE3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 5 шт.
Цена доступна по запросу
SIA450DJ-T1-GE3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.