РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SIA850DJ-T1-GE3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 133814

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series LITTLE FOOT® 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 190V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 950mA (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 10V 
Vgs (Max) ±16V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 90pF @ 100V 
FET Feature Schottky Diode (Isolated) 
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta), 7W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Dual 
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 Dual 

Описание

MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6 - N-Channel 190V 950mA (Tc) 1.9W (Ta), 7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Транзисторы полевые SIA850DJ-T1-GE3

Datasheet SIA850DJ-T1-GE3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
SIA850DJ-T1-GE3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.