РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SIB414DK-T1-GE3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 130490

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.03nC @ 5V 
Vgs (Max) ±5V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 732pF @ 4V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 13W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 7.9A, 4.5V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PowerPAK® SC-75-6L Single 
Package / Case PowerPAK® SC-75-6L 

Описание

MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6 - N-Channel 8V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single

Транзисторы полевые SIB414DK-T1-GE3

Datasheet SIB414DK-T1-GE3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 4 шт.
Цена доступна по запросу
SIB414DK-T1-GE3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.