РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SIHF18N50C-E3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 131502

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series 
Packaging Bulk  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76nC @ 10V 
Vgs (Max) ±30V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2942pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 38W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 10A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package TO-220-3 
Package / Case TO-220-3 

Описание

MOSFET N-CH 500V 18A TO220 - N-Channel 500V 18A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220-3

Транзисторы полевые SIHF18N50C-E3

Datasheet SIHF18N50C-E3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 8 шт.
Цена доступна по запросу
SIHF18N50C-E3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.