РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SIHF8N50L-E3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 132757

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Active 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 
Vgs (Max) ±30V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 873pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 40W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 4A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package TO-220 Full Pack 
Package / Case TO-220-3 Full Pack 

Описание

MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP - N-Channel 500V 8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Транзисторы полевые SIHF8N50L-E3

Datasheet SIHF8N50L-E3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 7 шт.
Цена доступна по запросу
SIHF8N50L-E3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.