РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SIR330DP-T1-GE3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 134967

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 15V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 27.7W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6 mOhm @ 10A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 
Package / Case PowerPAK® SO-8 

Описание

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 - N-Channel 30V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Транзисторы полевые SIR330DP-T1-GE3

Datasheet SIR330DP-T1-GE3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 15 шт.
Цена доступна по запросу
SIR330DP-T1-GE3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.