| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2.5 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Структура модуля | 1 транзистор+диод |
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Максимальная частота модуляции,кГц | - |
| Входная емкость затвора,нФ | 10 |
| Мощность привода, кВт | - |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | - |
| Защита от короткого замыкания | - |
| Защита от перегрева | - |
| Защита от пониженного напряжения питания | - |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1380 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 5.5 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2.5 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Температурный диапазон,С | -40...150 |
SKM200GAR123D, 1IGBT+diod emit 200А - IGBT модули
IGBT модули SKM200GAR123D, 1IGBT+diod emit 200А
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 24 355.20 р. |
| 6 | 23 411.20 р. |
| 60 | 21 153.87 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.