| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS®-P |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 126nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6880pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 50A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO252-5 |
| Package / Case | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
MOSFET P-CH 30V 50A TO-252 - P-Channel 30V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-5
Транзисторы полевые SPD50P03LGXT
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.