РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SQ3418EEV-T1-GE3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 133315

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Cut Tape (CT)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 5W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 5A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 6-TSOP 
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 

Описание

MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP - N-Channel 40V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Транзисторы полевые SQ3418EEV-T1-GE3

Datasheet SQ3418EEV-T1-GE3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 2 шт.
Цена доступна по запросу
SQ3418EEV-T1-GE3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.