РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SQM110P04-04L-GE3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 132764

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13980pF @ 20V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 375W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 30A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak) 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 

Описание

MOSFET P-CH 40V 120A TO263 - P-Channel 40V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)

Транзисторы полевые SQM110P04-04L-GE3

Datasheet SQM110P04-04L-GE3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 7 шт.
Цена доступна по запросу
SQM110P04-04L-GE3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.