РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SSM3J36MFV,L3F

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Арт: 134489

Техническая спецификация

Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage 
Series U-MOSIII 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Discontinued at Digi-Key 
FET Type P-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 330mA (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 
Vgs(th) (Max) @ Id 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4V 
Vgs (Max) ±8V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 43pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 150mW (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package VESM 
Package / Case SOT-723 

Описание

MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM - P-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM

Транзисторы полевые SSM3J36MFV,L3F

Datasheet SSM3J36MFV,L3F (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 10 шт.
Цена доступна по запросу
SSM3J36MFV,L3F
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.