| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Series | π-MOSVI |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310 mOhm @ 600mA, 10V |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | UFM |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Leads |
MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM - N-Channel 20V 1.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Транзисторы полевые SSM3K106TU(TE85L)
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.