| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Series | π-MOSVI |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7.8pF @ 3V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 10mA, 4V |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SSM |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A SSM - N-Channel 30V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SSM
Транзисторы полевые SSM3K15FS,LF
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.