Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Series | π-MOSVI |
Packaging | Digi-Reel® |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7.8pF @ 3V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 10mA, 4V |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | SSM |
Package / Case | SC-75, SOT-416 |
MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A SSM - N-Channel 30V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SSM
Транзисторы полевые SSM3K15FS,LF
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.