Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Series | U-MOSIV |
Packaging | Digi-Reel® |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 500mA, 10V |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | SC-59 |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI - N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59
Транзисторы полевые SSM3K7002BF,LF
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.