| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Series | U-MOSIII |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 174pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205 mOhm @ 250mA, 4V |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | CST4 (1.2x0.8) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
MOSFET N-CH 20V .5A CST4 - N-Channel 20V 500mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount CST4 (1.2x0.8)
Транзисторы полевые SSM4K27CTTPL3
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.