| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Series | - |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 2.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 4V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 568pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 136 mOhm @ 1A, 2.5V |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | ES6 (1.6x1.6) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6 - P-Channel 20V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
Транзисторы полевые SSM6J53FE(TE85L,F)
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.