РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

STGB6M65DF2

Производитель: STMicroelectronics
Арт: 80317
59.98 р.

Техническая спецификация

Manufacturer STMicroelectronics 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 12A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 24A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A 
Power - Max 88W 
Switching Energy 36µJ (on), 200µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 21.2nC 
Td (on/off) @ 25°C 15ns/90ns 
Test Condition 400V, 6A, 22 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 140ns 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 
Supplier Device Package D2PAK 

Описание

IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK - IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount D2PAK

IGBT транзисторы STGB6M65DF2

Datasheet STGB6M65DF2 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 7 шт.
Мин. кол-воЦена
59.98 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.