| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Series | M |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
| Power - Max | 115W |
| Switching Energy | 120µJ (on), 270µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 28nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 19ns/91ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 22 Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 96ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 |
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE - IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Through Hole TO-247
IGBT транзисторы STGW10M65DF2
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 189.72 р. |
| 10 | 170.34 р. |
| 100 | 136.87 р. |
| 500 | 112.46 р. |
| 1,000 | 93.18 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.