РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

STGW30N120KD

Производитель: STMicroelectronics
Арт: 81950

Техническая спецификация

Manufacturer STMicroelectronics 
Series PowerMESH™ 
Packaging Tube  
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 60A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 100A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.85V @ 15V, 20A 
Power - Max 220W 
Switching Energy 2.4mJ (on), 4.3mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 105nC 
Td (on/off) @ 25°C 36ns/251ns 
Test Condition 960V, 20A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 84ns 
Operating Temperature -55°C ~ 125°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247-3 

Описание

IGBT 1200V 60A 220W TO247 - IGBT 1200V 60A 220W Through Hole TO-247-3

IGBT транзисторы STGW30N120KD

Datasheet STGW30N120KD (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 4 шт.
Цена доступна по запросу
STGW30N120KD
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.