РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

STGW80H65DFB

Производитель: STMicroelectronics
Арт: 80105
765.00 р.

Техническая спецификация

Manufacturer STMicroelectronics 
Series 
Packaging Tube  
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 120A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 240A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A 
Power - Max 469W 
Switching Energy 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 414nC 
Td (on/off) @ 25°C 84ns/280ns 
Test Condition 400V, 80A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 85ns 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 

Описание

IGBT 650V 120A 469W TO-247 - IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247

IGBT транзисторы STGW80H65DFB

Datasheet STGW80H65DFB (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
765.00 р. 
10 690.85 р. 
100 571.91 р. 
500 498.02 р. 
1,000 433.76 р. 
STGW80H65DFB
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.