РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

STGWA30H65DFB

Производитель: STMicroelectronics
Арт: 80577
227.57 р.

Техническая спецификация

Manufacturer STMicroelectronics 
Series HB 
Part Status Active 
IGBT Type Trench Field Stop 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 60A 
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A 
Power - Max 260W 
Switching Energy 382µJ (on), 293µJ (off) 
Input Type Standard 
Gate Charge 149nC 
Td (on/off) @ 25°C 46ns/146ns 
Test Condition 400V, 30A, 10 Ohm, 15V 
Reverse Recovery Time (trr) 140ns 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Package / Case TO-247-3 
Supplier Device Package TO-247 Long Leads 

Описание

IGBT - IGBT Trench Field Stop 650V 60A 260W Through Hole TO-247 Long Leads

IGBT транзисторы STGWA30H65DFB

Datasheet STGWA30H65DFB (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 16 шт.
Мин. кол-воЦена
227.57 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.