РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SUD06N10-225L-GE3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 134957

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta), 16.7W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 3A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package TO-252AA 
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 
Base Part Number SUD06N10 

Описание

MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK - N-Channel 100V 6.5A (Tc) 1.25W (Ta), 16.7W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Транзисторы полевые SUD06N10-225L-GE3

Datasheet SUD06N10-225L-GE3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 14 шт.
Цена доступна по запросу
SUD06N10-225L-GE3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.