| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Series | TrenchFET® |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 280nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11500pF @ 40V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 13.6W (Ta), 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1 mOhm @ 20A, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK - P-Channel 80V 110A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Транзисторы полевые SUM110P08-11-E3
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.