РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SUM90N06-4M4P-E3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 132329

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Digi-Reel®  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6190pF @ 30V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 300W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 20A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak) 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 

Описание

MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK - N-Channel 60V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)

Транзисторы полевые SUM90N06-4M4P-E3

Datasheet SUM90N06-4M4P-E3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 17 шт.
Цена доступна по запросу
SUM90N06-4M4P-E3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.