РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

SUP60N02-4M5P-E3

Производитель: Vishay Siliconix
Арт: 132803

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Siliconix 
Series TrenchFET® 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5950pF @ 10V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 120W (Tc) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 20A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Through Hole 
Supplier Device Package TO-220AB 
Package / Case TO-220-3 

Описание

MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB - N-Channel 20V 60A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB

Транзисторы полевые SUP60N02-4M5P-E3

Datasheet SUP60N02-4M5P-E3 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 9 шт.
Цена доступна по запросу
SUP60N02-4M5P-E3
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.