| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Series | TrenchFET® |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 580mA, 4.5V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
MOSFET P-CH 20V 0.58A SOT23-3 - P-Channel 20V 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Транзисторы полевые TP0101K-T1-E3
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.