| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Series | U-MOSIII |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1430pF @ 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | VS-6 (2.9x2.8) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A - P-Channel 20V 5.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
Транзисторы полевые TPC6104(TE85L,F,M)
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.