Manufacturer | Taiwan Semiconductor Corporation |
Series | - |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.25V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.25 Ohm @ 250mA, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
MOSFET N-CH 450V 500MA SOT223 - N-Channel 450V 500mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223
Транзисторы полевые TSM1N45CW RPG
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.