Manufacturer | Taiwan Semiconductor Corporation |
Series | - |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Part Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 250mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±50V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 185pF @ 25V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.25 Ohm @ 250mA, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SOP |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP - N-Channel 450V 500mA (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOP
Транзисторы полевые TSM1N45DCS RLG
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.