РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

VS-EMG050J60N

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Арт: 77202

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Semiconductor Diodes Division 
Series 
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 88A 
Power - Max 338W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A 
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 9.5nF @ 30V 
Input Standard 
NTC Thermistor Yes 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case EMIPAK2 
Supplier Device Package EMIPAK2 

Описание

IGBT 600V 88A 338W EMIPAK2 - IGBT Module Half Bridge 600V 88A 338W Chassis Mount EMIPAK2

IGBT модули VS-EMG050J60N

Datasheet VS-EMG050J60N (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.