РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

VS-ENQ030L120S

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Арт: 75318
12 631.68 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Semiconductor Diodes Division 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench 
Configuration Three Level Inverter 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 61A 
Power - Max 216W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 30A 
Current - Collector Cutoff (Max) 230µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.34nF @ 30V 
Input Standard 
NTC Thermistor Yes 
Operating Temperature 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case EMIPAK-1B 
Supplier Device Package EMIPAK-1B 

Описание

IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B - IGBT Module Trench Three Level Inverter 1200V 61A 216W Chassis Mount EMIPAK-1B

IGBT модули VS-ENQ030L120S

Datasheet VS-ENQ030L120S (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 2 шт.
Мин. кол-воЦена
12 631.68 р. 
10 12 034.06 р. 
25 11 778.06 р. 
VS-ENQ030L120S
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.