РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

VS-ETF150Y65N

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Арт: 75329
7 342.98 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Semiconductor Diodes Division 
Series FRED Pt® 
Part Status Active 
IGBT Type NPT 
Configuration Half Bridge Inverter 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 201A 
Power - Max 600W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.17V @ 15V, 150A 
Input Standard 
NTC Thermistor Yes 
Operating Temperature 175°C (TJ) 
Package / Case Module 
Supplier Device Package Module 

Описание

IGBT 650V 150A EMIPAK-2B - IGBT Module NPT Half Bridge Inverter 650V 201A 600W Module

IGBT модули VS-ETF150Y65N

Datasheet VS-ETF150Y65N (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 9 шт.
Мин. кол-воЦена
7 342.98 р. 
10 6 975.68 р. 
25 6 792.06 р. 
VS-ETF150Y65N
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.