РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

VS-ETF150Y65U

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Арт: 75316
8 566.98 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Semiconductor Diodes Division 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench 
Configuration Three Level Inverter 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 142A 
Power - Max 417W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.06V @ 15V, 100A 
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.6nF @ 30V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature 175°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case EMIPAK-2B 
Supplier Device Package EMIPAK-2B 

Описание

IGBT 650V 150A EMIPAK-2B - IGBT Module Trench Three Level Inverter 650V 142A 417W Chassis Mount EMIPAK-2B

IGBT модули VS-ETF150Y65U

Datasheet VS-ETF150Y65U (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 15 шт.
Мин. кол-воЦена
8 566.98 р. 
10 8 124.91 р. 
25 7 903.86 р. 
VS-ETF150Y65U
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.