РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

VS-GA200HS60S1

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Арт: 77300

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Semiconductor Diodes Division 
Series 
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 480A 
Power - Max 830W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.21V @ 15V, 200A 
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 32.5nF @ 30V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case INT-A-Pak 
Supplier Device Package INT-A-PAK 

Описание

IGBT 600V 480A 830W - IGBT Module Half Bridge 600V 480A 830W Chassis Mount INT-A-PAK

IGBT модули VS-GA200HS60S1

Datasheet VS-GA200HS60S1 (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.