| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | - |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Структура модуля | - |
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 40 |
| Входная емкость затвора,нФ | - |
| Мощность привода, кВт | - |
| Драйвер управления | - |
| Защита по току | - |
| Защита от короткого замыкания | - |
| Защита от перегрева | - |
| Защита от пониженного напряжения питания | - |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | - |
| Максимальный ток эмиттера, А | - |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | - |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | - |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | - |
| Напряжение изоляции, В | - |
| Температурный диапазон,С | - |
VS-GA200TS60UPBF, 2IGBT 600В 200А 40кГц - IGBT модули
IGBT модули VS-GA200TS60UPBF, 2IGBT 600В 200А 40кГц
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 12 876.16 р. |
| 2 | 10 535.04 р. |
| 20 | 9 777.18 р. |
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.