РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

VS-GB100TP120U

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Арт: 77209

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Semiconductor Diodes Division 
Series 
Part Status Obsolete 
IGBT Type 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 150A 
Power - Max 735W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 100A 
Current - Collector Cutoff (Max) 2mA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case INT-A-Pak 
Supplier Device Package INT-A-PAK 

Описание

IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK - IGBT Module Half Bridge 1200V 150A 735W Chassis Mount INT-A-PAK

IGBT модули VS-GB100TP120U

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Цена доступна по запросу
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.