РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

VS-GB100TS60NPBF

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Арт: 75917
9 459.62 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Semiconductor Diodes Division 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type NPT 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V 
Current - Collector (Ic) (Max) 108A 
Power - Max 390W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 100A 
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case INT-A-Pak 
Supplier Device Package INT-A-PAK 

Описание

IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK - IGBT Module NPT Half Bridge 600V 108A 390W Chassis Mount INT-A-PAK

IGBT модули VS-GB100TS60NPBF

Datasheet VS-GB100TS60NPBF (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
9 459.62 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.