| Manufacturer | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Series | - |
| Part Status | Obsolete |
| IGBT Type | Trench |
| Configuration | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 180A |
| Power - Max | 652W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 12.8nF @ 30V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | INT-A-PAK (3 + 4) |
| Supplier Device Package | INT-A-PAK |
IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK - IGBT Module Trench Half Bridge 1200V 180A 652W Chassis Mount INT-A-PAK
IGBT модули VS-GT100TP120N
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.