РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

VS-GT200TP065N

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Арт: 75951
10 222.01 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Semiconductor Diodes Division 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V 
Current - Collector (Ic) (Max) 221A 
Power - Max 600W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.12V @ 15V, 200A 
Current - Collector Cutoff (Max) 60µA 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case INT-A-Pak 
Supplier Device Package INT-A-PAK 

Описание

IGBT - IGBT Module Trench Half Bridge 650V 221A 600W Chassis Mount INT-A-PAK

IGBT модули VS-GT200TP065N

Datasheet VS-GT200TP065N (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
10 222.01 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.