| Manufacturer | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Series | - |
| Part Status | Obsolete |
| IGBT Type | Trench |
| Configuration | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600A |
| Power - Max | 2119W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 400A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 28.8nF @ 25V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Double INT-A-PAK (3 + 8) |
| Supplier Device Package | Double INT-A-PAK |
IGBT 1200V 600A 2119W DIAP - IGBT Module Trench Half Bridge 1200V 600A 2119W Chassis Mount Double INT-A-PAK
IGBT модули VS-GT400TH120N
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.