РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

VS-GT50TP120N

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Арт: 75829
7 458.45 р.

Техническая спецификация

Manufacturer Vishay Semiconductor Diodes Division 
Series 
Part Status Active 
IGBT Type Trench 
Configuration Half Bridge 
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V 
Current - Collector (Ic) (Max) 100A 
Power - Max 405W 
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 50A 
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA 
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.24nF @ 30V 
Input Standard 
NTC Thermistor No 
Operating Temperature 175°C (TJ) 
Mounting Type Chassis Mount 
Package / Case INT-A-PAK (3 + 4) 
Supplier Device Package INT-A-PAK 

Описание

IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK - IGBT Module Trench Half Bridge 1200V 100A 405W Chassis Mount INT-A-PAK

IGBT модули VS-GT50TP120N

Datasheet VS-GT50TP120N (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 1 шт.
Мин. кол-воЦена
7 458.45 р. 
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.