| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Series | - |
| Packaging | Tape & Box (TB) |
| Part Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 Ohm @ 150mA, 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3 - P-Channel 200V 120mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Транзисторы полевые ZVP2120ASTZ
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.