РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

ZXMN3A02N8TC

Производитель: Diodes Incorporated
Арт: 136017

Техническая спецификация

Manufacturer Diodes Incorporated 
Series 
Packaging Tape & Reel (TR)  
Part Status Obsolete 
FET Type N-Channel 
Technology MOSFET (Metal Oxide) 
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Ta) 
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.8nC @ 10V 
Vgs (Max) ±20V 
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V 
FET Feature 
Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta) 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 12A, 10V 
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) 
Mounting Type Surface Mount 
Supplier Device Package 8-SO 
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 

Описание

MOSFET N-CH 30V 8SOIC - N-Channel 30V 7.3A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO

Транзисторы полевые ZXMN3A02N8TC

Datasheet ZXMN3A02N8TC (PDF)

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 2 шт.
Цена доступна по запросу
ZXMN3A02N8TC
Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.