+7 (495) 587-04-49 |
РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов
РЭК - поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

IGBT транзисторы

Всего: 4343

HGTG12N60B3, 27A/600V N-
(ONSemiconductor )
396.48 р.
1 30 300 
396.48 р. 292.64 р. 225.63 р. 
Доступно:
271 шт.
HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]
(ONSemiconductor )
283.20 р.
1 25 250 
283.20 р. 219.01 р. 216.23 р. 
Доступно:
24 шт.
HGTG12N60A4D, TO-247
(ONSemiconductor )
320.96 р.
1 30 60 
320.96 р. 232.22 р. 189.76 р. 
Доступно:
730 шт.
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247]
(ONSemiconductor )
358.72 р.
1 5 50 
358.72 р. 334.18 р. 327.62 р. 
Доступно:
147 шт.
HGTG11N120CND, TO-247
(ONSemiconductor )
339.84 р.
1 10 30 
339.84 р. 260.54 р. 217.38 р. 
Доступно:
977 шт.
HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]
(ONSemiconductor )
434.24 р.
1 5 50 
434.24 р. 407.81 р. 400.44 р. 
Доступно:
246 шт.
HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]
(ONSemiconductor )
207.68 р.
1 25 250 
207.68 р. 157.27 р. 154.80 р. 
Доступно:
277 шт.
GT60N321, Параметры: Vces=900В. Проверено, TO264
(Toshiba)
641.92 р.
1 5 25 
641.92 р. 498.43 р. 413.64 р. 
Доступно:
784 шт.
GT50J327, Параметры: Vces=575В. Проверено, TO3PN
(Toshiba)
566.40 р.
1 5 25 
566.40 р. 436.13 р. 362.31 р. 
Доступно:
841 шт.
GT45G122, форм. сред. вывод, TO-220F
(Toshiba)
226.56 р.
1 10 50 
226.56 р. 172.94 р. 141.22 р. 
Доступно:
877 шт.
GT35J321, TO-3PF
(Toshiba)
566.40 р.
1 10 50 
566.40 р. 436.13 р. 362.31 р. 
Доступно:
145 шт.
GT30J322, TO3PF
(Toshiba)
566.40 р.
1 10 50 
566.40 р. 436.13 р. 362.31 р. 
Доступно:
146 шт.
GT30G122, TO-220F
(Toshiba)
207.68 р.
1 10 50 
207.68 р. 151.98 р. 124.04 р. 
Доступно:
46 шт.
GT30F125, форм.средн.вывод, TO-220F
(Toshiba)
283.20 р.
1 5 25 
283.20 р. 213.34 р. 173.64 р. 
Доступно:
575 шт.
GN2470K4, TO-252
(Supertex )
73.63 р.
1 20 40 
73.63 р. 54.75 р. 39.46 р. 
Доступно:
676 шт.
FGY75N60SMD, IGBT 600В 75А [TO-247]
(ONSemiconductor )
774.08 р.
1 5 50 
774.08 р. 740.10 р. 728.07 р. 
Доступно:
693 шт.
FGPF50N33BT, TO-220F
(FSC1 )
302.08 р.
1 5 25 
302.08 р. 224.67 р. 182.95 р. 
Доступно:
540 шт.
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
(ONSemiconductor )
811.84 р.
1 5 50 
811.84 р. 774.08 р. 761.75 р. 
Доступно:
574 шт.
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]
(ONSemiconductor )
528.64 р.
1 5 50 
528.64 р. 500.32 р. 491.45 р. 
Доступно:
169 шт.
FGH80N60FDTU, TO-247
(ONSemiconductor )
528.64 р.
1 30 90 
528.64 р. 405.92 р. 337.29 р. 
Доступно:
836 шт.
FGH60N60UFD, TO-247
(ONSemiconductor )
585.28 р.
1 10 60 
585.28 р. 455.01 р. 377.83 р. 
Доступно:
911 шт.
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]
(ONSemiconductor )
434.24 р.
1 5 50 
434.24 р. 407.81 р. 400.44 р. 
Доступно:
96 шт.
FGH60N60SMD, TO-247
(ONSemiconductor )
528.64 р.
1 30 90 
528.64 р. 411.58 р. 354.66 р. 
Доступно:
581 шт.
FGH60N60SMD
(ONSemiconductor )
434.24 р.
1 5 50 
434.24 р. 377.60 р. 344.43 р. 
Доступно:
732 шт.
FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]
(ONSemiconductor )
415.36 р.
1 5 50 
415.36 р. 383.26 р. 376.64 р. 
Доступно:
261 шт.
FGH60N60SFDTU, TO-247
(ONSemiconductor )
585.28 р.
1 10 30 
585.28 р. 456.90 р. 379.90 р. 
Доступно:
570 шт.
FGH40T100SMD, TO-247
(ONSemiconductor )
547.52 р.
1 10 30 
547.52 р. 421.02 р. 349.98 р. 
Доступно:
888 шт.
FGH40N60UFDTU, TO-247
(ONSemiconductor )
453.12 р.
1 30 90 
453.12 р. 349.28 р. 290.26 р. 
Доступно:
287 шт.
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 290Вт [TO-247]
(ONSemiconductor )
453.12 р.
1 5 50 
453.12 р. 426.69 р. 418.65 р. 
Доступно:
988 шт.
FGH40N60SMD, TO-247
(ONSemiconductor )
604.16 р.
1 30 90 
604.16 р. 470.11 р. 391.14 р. 
Доступно:
347 шт.
ООО «РЭК» © Все права защищены
Top.Mail.Ru